台积电2nm制程技术细节曝光：性能提升15%，明年量产

台积电在IEEE国际电子设备会议（IEDM）上首次详细披露了2纳米（N2）制程工艺的技术细节。新制程采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管架构，提供更好的电流控制和性能优化能力。

测试数据显示，N2制程的晶体管密度提升1.15倍，功耗可降低24%-35%，性能提升15%。SRAM密度达到37.9Mb/mm²，创下行业新纪录。台积电计划于2025年下半年量产N2制程，初期晶圆代工价格预计为2.5万至3万美元/片，首批客户可能包括苹果、高通和联发科等。