SK海力士公布2030年内存路线图：HBM5E、LPCAMM2、DDR6和4D NAND

SK海力士的CEO展示了公司到2030年的内存发展路线图，包含HBM5E、LPCAMM2、DDR6、UFS 6.0和超过400层的4D NAND等技术。此次发布会重点介绍了其最新的HBM3E内存技术，具备48GB的容量，能够大幅提升神经网络训练性能和推理效率。

路线图显示，从现在起到2027年，SK海力士计划推出一系列新技术，包括HBM4、LPCAMM2和LPDDR6等。特别是PCIe 6.0接口将广泛应用于PC、笔记本和SSD中。从2028年到2030年，SK海力士将引入更多革命性技术，比如HBM5、DDR6和UFS 6.0等。