复旦大学的科研团队成功研制出新型闪存器件，是目前最快半导体电荷存储器件，并且为保存时间可达十年非易失性存储器。复旦大学周鹏/刘春森团队成功研制“破晓(PoX)”亚纳秒闪存器件，擦写速度达到400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作。相关研究成果16日发表于《自然》。该成果通过创新方法提高了载流子加速效率，通过结合二维狄拉克能带结构与弹道输运特性，调制二维沟道的高斯长度，从而实现沟道电荷向浮栅存储层的超注入，以达到瞬时能量注入。团队将目前已完成Kb级芯片流片。下一步，他们计划在3-5年将其集成到几十兆的水平，届时可授权给企业进行产业化。
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